产业报导 2019/09/04
氮化镓: 电源供应市场新生力军
氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)半导体,硬度很高。氮化镓的能隙为3.4eV,而目前最常用的半导体材料硅的能隙为1.12eV,因此氮化镓可以用在高功率、高速组件中。氮化镓组件在高频时,在导通与切换上有较佳的效能、可靠度高,也能促使周边组件尺寸进一步缩小,并提升功率密度,因此氮化镓功率组件才能在近期节能减碳的声浪中,带动电源供应系统走向大瓦数的趋势下,受到市场的青睐。

尽管目前的氮化镓电源市场与328亿美元的硅电源市场相比仍然是「小巫」,但氮化镓组件正在渗透到不同的应用中。其中,氮化镓市场中最大的部分仍然是相关电源应用,例如手机的快速充电,以及大瓦数电源供应器。
 
Gallium-Nitride-GaN-Power-device-market-size-by-application
依应用划分的氮化镓功率组件市场规模(单位:百万美元)
(数据源:法国研究机构Yole Développement)

Yole技术与市场分析师Ana Villamor博士表示,由于电源市场的需求驱动,氮化镓市场将稳步成长。Yole Development预估,在2017年至2023年间,氮化镓电源市场的年复合成长率(CAGR)将达55%。值得注意的是,Yole Development并指出,苹果(Apple)有意采用氮化镓技术,若氮化镓功率组件顺利获消费性电子类产品采用,即则年复合成长率可望高达93%。



本文源自Anthea Chuang文章发表在EET Times Taiwan, 2019/09/04, 原文网址:  
https://www.eettaiwan.com/news/article/20190904NT31-GaN-Power-supply