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窒化ガリウム（GaN）は、窒素とガリウムの化合物です。高硬度のダイレクトバンドギャップ半導体です。窒化ガリウムのエネルギーギャップは3.4 eVであり、最も一般的に使用される半導体材料のエネルギーギャップは1.12 eVであるため、窒化ガリウムは高出力、高速コンポーネントで使用できます。高周波では、GaNデバイスは導通とスイッチングのパフォーマンスと信頼性が向上し、周辺コンポーネントのサイズをさらに縮小して電力密度を向上させることもできます。したがって、最近の省エネルギーおよび炭素削減のトレンドの下で、GaN Powerコンポーネントは、電源システムを大きなワット数まで駆動する機会があり、市場に支持されています。

現在のGaNパワー市場は328億米ドルのシリコンパワー市場と比較して小さいままですが、GaNデバイスは自信を持ってさまざまなアプリケーションに浸透しています。パワーGaN市場における最大のセグメントは、依然として電源アプリケーション、つまり携帯電話の高速充電、および大ワット数の電源です。
 

「さまざまなアプリケーション市場、特にその場合に最も重要な電源市場セグメントにおける市場成長の蓄積は、私たちの最初のシナリオを裏付けています」と、Yoleのテクノロジー＆マーケットアナリスト、PhDのAna Villamorはコメントしています。事例シナリオでは、GaN市場は着実に成長すると予想されています。ヨーレでは、2017年から2023年の間にCAGRが55％成長するGaN市場を発表しました。

YoleDéveloppement氏は、AppleはGaNテクノロジーを使用するつもりであることも指摘した。家庭用電化製品でGaNパワーコンポーネントの使用が成功した場合、年間の化合物の成長率は93％に達すると予測されています。

この記事は、2019年9月4日にEE Times Taiwanでオンラインで公開されたAnthea Chuangによるものです。 https://www.eettaiwan.com/news/article/20190904NT31-GaN-Power-supply