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氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)半導體，硬度很高。氮化鎵的能隙為3.4eV，而目前最常用的半導體材料矽的能隙為1.12eV，因此氮化鎵可以用在高功率、高速元件中。氮化鎵元件在高頻時，在導通與切換上有較佳的效能、可靠度高，也能促使周邊元件尺寸進一步縮小，並提升功率密度，因此氮化鎵功率元件才能在近期節能減碳的聲浪中，帶動電源供應系統走向大瓦數的趨勢下，受到市場的青睞。

儘管目前的氮化鎵電源市場與328億美元的矽電源市場相比仍然是「小巫」，但氮化鎵元件正在滲透到不同的應用中。其中，氮化鎵市場中最大的部分仍然是相關電源應用，例如手機的快速充電，以及大瓦數電源供應器。
 

Yole技術與市場分析師Ana Villamor博士表示，由於電源市場的需求驅動，氮化鎵市場將穩步成長。Yole Development預估，在2017年至2023年間，氮化鎵電源市場的年複合成長率(CAGR)將達55%。值得注意的是，Yole Development並指出，蘋果(Apple)有意採用氮化鎵技術，若氮化鎵功率元件順利獲消費性電子類產品採用，即則年複合成長率可望高達93%。

本文源自Anthea Chuang文章發表在EET Times Taiwan, 2019/09/04, 原文網址:  
https://www.eettaiwan.com/news/article/20190904NT31-GaN-Power-supply